首頁 » 產品中心 » LED襯底及窗口片設備 » 碳化矽晶體生長爐

碳化矽單晶爐係統TDL60P
編號--端午节活动策划方案:SN20150801142150212
類別___119彩票平台:碳化矽晶體生長爐
  • 產品概述
  • 規格參數
  • 服務支持

    設備用途
    主要用於半導體和LED行業--_史密斯夫妇插曲。采用中頻感應加熱方式-_160630基金,物理氣相傳輸法生長優質光學晶體|_-反间谍工作的主管单位是。


    設備組成
    本係統采用單室立式雙層水冷不鏽鋼結構_|粤dk0213。由爐膛-_-钱启敏博客、真空獲得及測量係統||朗姿代购、籽晶杆拉送係統|||优盈彩票是合法的吗、坩堝杆拉送係統|||现货黄金模拟大赛、感應加熱係統-128期看图中肖特、電控係統等組成-_大中电器总部电话。

    技術指標

    型號

    TDL60P

    爐內真空度

    極限真空

    6.6×10-5Pa

    係統抽速

    60分鍾內真空度<2×10-3Pa(短時間暴露大氣並充入幹燥氮氣開始抽氣

    係統漏率

    停泵關機12小時後真空度≤10Pa

    爐體

    主爐膛

    尺寸Φ600×800 mm

    副爐膛

    尺寸Ф300×400mm

    轉速

    0~30rpm

    提拉速度連續可調範圍

    0.06~6㎜/h

    快提拉速度連續升降可調

    ≥50㎜/min

    有效行程

    390㎜

    坩堝傳動機構

    轉速

    0~30rpm

    升速範圍

    0.06~6㎜/h

    快提拉速度連續升降可調

    ≥50㎜/min

    有效行程

    560㎜

    額定總功率

    55KW

    循環水用量

    3m3/h

    真空配置

    分子泵_-重生一惹火娇医、機械泵||亿客隆彩票是真的吗、插板閥

    占地麵積

    主機

    1500×2500mm2

    電控櫃

    700×700mm2(一個)

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