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碳化矽單晶爐係統TDL60P
編號-广州qq女:SN20150801142150212
類別|1288彩票正规吗:碳化矽晶體生長爐
  • 產品概述
  • 規格參數
  • 服務支持

    設備用途
    主要用於半導體和LED行業__易富app。采用中頻感應加熱方式_||陈亚辉,物理氣相傳輸法生長優質光學晶體--梦幻诛仙续魂珠。


    設備組成
    本係統采用單室立式雙層水冷不鏽鋼結構|-天津热线adsl。由爐膛-|22选5开奖最新结果河南、真空獲得及測量係統_|平方公里与亩的换算、籽晶杆拉送係統_--帅猴手机网、坩堝杆拉送係統--|361dya、感應加熱係統__|亿彩彩票平台可靠吗?、電控係統等組成-|_祖峥。

    技術指標

    型號

    TDL60P

    爐內真空度

    極限真空

    6.6×10-5Pa

    係統抽速

    60分鍾內真空度<2×10-3Pa(短時間暴露大氣並充入幹燥氮氣開始抽氣

    係統漏率

    停泵關機12小時後真空度≤10Pa

    爐體

    主爐膛

    尺寸Φ600×800 mm

    副爐膛

    尺寸Ф300×400mm

    轉速

    0~30rpm

    提拉速度連續可調範圍

    0.06~6㎜/h

    快提拉速度連續升降可調

    ≥50㎜/min

    有效行程

    390㎜

    坩堝傳動機構

    轉速

    0~30rpm

    升速範圍

    0.06~6㎜/h

    快提拉速度連續升降可調

    ≥50㎜/min

    有效行程

    560㎜

    額定總功率

    55KW

    循環水用量

    3m3/h

    真空配置

    分子泵|-2019香港赛马比赛、機械泵--重庆老火锅赵亮、插板閥

    占地麵積

    主機

    1500×2500mm2

    電控櫃

    700×700mm2(一個)

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